Tunneldiod

Den här artikeln behöver källhänvisningar för att kunna verifieras. (2020-03) Åtgärda genom att lägga till pålitliga källor (gärna som fotnoter). Uppgifter utan källhänvisning kan ifrågasättas och tas bort utan att det behöver diskuteras på diskussionssidan.

Schemasymbol för tunneldiod

1N3716 tunneldiod tillsammans med en bygling

En tunneldiod eller Esaki-diod är en typ av halvledare som är kapabel till att användas högt upp i frekvens, väl inom mikrovågsfrekvensområdet, genom att använda sig av kvantmekaniska effekter.

Den uppfanns i augusti 1957 av Leo Esaki när han jobbade för Tokyo Tsushin Kogyo, numera Sony. Esaki fick 1973 fick nobelpriset i fysik för att ha upptäckt tunneleffekten som används i dessa dioder.

Dessa dioder har en kraftigt dopad PN-övergång som bara är typiskt 10 nm eller 100 Å bred. Den hårda dopningen resulterar i ett brutet bandgap där ledningsbandselektroner på n-sidan är mer eller mindre i nivå med valensbandet på p-sidan.

Tunneldioder används bland annat för att upprätthålla oscillationer i och med sin negativa resistans.

Källor

• Artikeln är helt eller delvis baserad på engelskspråkiga Wikipedia