IGBT
IGBT eller insulated-gate bipolar transistor ("bipolär transistor med isolerat styre") är en typ av transistor som är en vanlig komponent i modern kraftelektronik. Den kombinerar egenskaperna hos en MOSFET-fälteffekttransistor och en bipolär transistor och utvecklades omkring 1980 av Jayant Baliga vid General Electric.[1][2]
IGBT-transistorer förekommer bland annat i kraftelektroniken i moderna lok. En annan, mer vardaglig, applikation av IGBT-transistorer är i vissa typer av dimrar.[3] För varvtalsstyrning av asynkronmotorer används idag IGBT mycket ofta - både som enskilda komponenter och som färdiga IGBT moduler i form av hel- eller halvbryggor.
Källor
- ^ ”Tidslinje Elektronikutvecklingen 1945-1990”. aef.se. Arboga Elektronikhistoriska Förening. 20 april 2016. http://aef.se/Elektronikutveckling/Artiklar/Tidslinje_teknikutv.htm. Läst 16 januari 2017.
- ^ Edwards, John (22 november 2010). ”B. Jayant Baliga: Designing The Insulated-Gate Bipolar Transistor” (på engelska). Electronic Design. http://electronicdesign.com/analog/b-jayant-baliga-designing-insulated-gate-bipolar-transistor. Läst 16 januari 2017.
- ^ [1] Arkiverad 5 mars 2016 hämtat från the Wayback Machine., läst 30 juli 2015
Externa länkar
Wikimedia Commons har media som rör IGBT.
Media som används på denna webbplats
IGBT symbol.svg
Författare/Upphovsman: AquitaneHungerForce, Licens: CC BY-SA 4.0
IGBT circuit symbol
Författare/Upphovsman: AquitaneHungerForce, Licens: CC BY-SA 4.0
IGBT circuit symbol
IGBT cross section.svg
Författare/Upphovsman: Ingen maskinläsbar skapare angavs. CyrilB~commonswiki antaget (baserat på upphovsrättsanspråk)., Licens: CC BY-SA 3.0
Författare/Upphovsman: Ingen maskinläsbar skapare angavs. CyrilB~commonswiki antaget (baserat på upphovsrättsanspråk)., Licens: CC BY-SA 3.0
Author: Cyril BUTTAY
Cross section of a classical Insulated Gate Bipolar Transistor ( IGBT )