Galliumnitrid
| Galliumnitrid | |
 | |
| Systematiskt namn | Galliumnitrid |
|---|---|
| Kemisk formel | GaN |
| Molmassa | 83,73 g/mol |
| Utseende | Transparent |
| CAS-nummer | 25617-97-4 |
| Egenskaper | |
| Densitet | 6,15 g/cm³ |
| Smältpunkt | >2500 °C |
| SI-enheter & STP används om ej annat angivits | |
Galliumnitrid är ett III/V halvledarmaterial med ett direkt bandgap på 3,4 eV. Materialet har använts för lysdioder sedan 1990-talet. Det besitter egenskaper som hög värmekapacitet och hög värmeledningsförmåga. Transistorer av galliumnitrid kan användas vid högre temperaturer och spänningar än transistorer av galliumarsenid.
Se även
Externa länkar
Wikimedia Commons har media som rör Galliumnitrid.
Media som används på denna webbplats
Wurtzite polyhedra.png
Crystal structure of ZnS (wurtzite) with coordination polyhedra
Crystal structure of ZnS (wurtzite) with coordination polyhedra